| Предмет | Типик кыйммәт | Берәмлек |
| Размер | 2.3 | Инч |
| Резолюция | 320RGB * 240 нокта | - |
| Чыгыш үлчәме | 51.00 (Вт) * 45.80 (Н) * 2.3 (Т) | mm |
| Районны карау | 46,75 (Вт) * 35.06 (Н) | mm |
| Тип | TFT | |
| Directionнәлешне карау | 12 О 'сәгать | |
| Бәйләнеш төре: | COG + FPC | |
| Эш температурасы: | -20 ℃ -70 ℃ | |
| Саклау температурасы: | -30 ℃ -80 ℃ | |
| Шофер IC: | ILI9342C | |
| Интерфейс тибы: | MCU & SPI | |
| Яктылык: | 200 CD / ㎡ | |
Шуңа күрә, сыек кристалл материалның фаза күчү температурасы сыек кристалл күрсәтү җайланмасының эш температурасы диапазонын билгели.1 нче таблицада бәйләнеш күрсәтелә
Тиешле сыек кристалл материал параметрлары һәм аңа бәйле сыек кристалл күрсәтү җайланмасының характеристикалары.Сыек кристалл материал параметрлары нигездә ачык
Tp ноктасы (сыек кристалл фазадан изотроп фазага температура күчү ноктасы), дәвалау ноктасы Ts.N (нематик фазадан смектик фазага яки каты фазага күчү)
Температура ноктасы), оптик анисотроп бирефринг Он, диэлектрик анисотроп Oε, эластик даими Kn (чәчелгән эластик тотрыклы),
K22 (торсиональ эластик тотрыклы), K33 (флексур эластик тотрыклы), әйләнү ябышлыгы y һ.б.
| Параметр | Символ | Типик кыйммәт | Аңлатмалар |
| Чистарту ноктасы | Tclp | 80°C. | Макс.эш температурасы |
| Смектик-нематик лтрансизация | Ts-N | - 40°C. | Мин.эш температурасы |
| Оптик анисотропия | A n = n // - n L. | 0.085 = 1.562-1 .477 | Оптик тәртипне билгели |
| Диэлектрик анисотропия | 0 ε=ε// _ε⊥ | 7 = 10.5-3.5 | Электр өлкәсендәге тәртипне билгели |
| Эластик константалар | K11，K22, К.33. | 10-11Ньютон | Responseавап вакыты өчен мөһим |
| Әйләнү ябышлыгы @ 20°C | Y 1 | 100 мПа с | Responseавап вакыты өчен мөһим |
